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Artigo de periodico
Learning from machine learning: the case of band-gap directness in semiconductors (2024)
Ogoshi, Elton ; Popolin Neto, Mário ; Acosta, Carlos Mera; Nascimento, Gabriel de Miranda ; Rodrigues, João Nuno Barbosa; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de ; Paulovich, Fernando Vieira ; Dalpian, Gustavo Martini
Source: Discover Materials. Unidades: IFSC, IF, ICMC
Subjects: BIG DATA, INTERNET DAS COISAS, APRENDIZADO COMPUTACIONAL
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ABNT
OGOSHI, Elton et al. Learning from machine learning: the case of band-gap directness in semiconductors. Discover Materials, v. 4, p. 6-1-6-14, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s43939-024-00073-x. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Ogoshi, E., Popolin Neto, M., Acosta, C. M., Nascimento, G. de M., Rodrigues, J. N. B., Oliveira Junior, O. N. de, et al. (2024). Learning from machine learning: the case of band-gap directness in semiconductors. Discover Materials, 4, 6-1-6-14. doi:10.1007/s43939-024-00073-x
NLM
Ogoshi E, Popolin Neto M, Acosta CM, Nascimento G de M, Rodrigues JNB, Oliveira Junior ON de, Paulovich FV, Dalpian GM. Learning from machine learning: the case of band-gap directness in semiconductors [Internet]. Discover Materials. 2024 ; 4 6-1-6-14.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s43939-024-00073-x
Vancouver
Ogoshi E, Popolin Neto M, Acosta CM, Nascimento G de M, Rodrigues JNB, Oliveira Junior ON de, Paulovich FV, Dalpian GM. Learning from machine learning: the case of band-gap directness in semiconductors [Internet]. Discover Materials. 2024 ; 4 6-1-6-14.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s43939-024-00073-x
Curadoria
International Conference on Electronic Materials - IUMRS-ICEM and the Brazilian Materials Research Society Meeting - B-MRS, 19 (2021)
Dalpian, Gustavo Martini (cur); Lima, Fabio Henrique Barros de (cur) ; Gonçalves, Renato Vitalino (cur)
Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: PESQUISA CIENTÍFICA, MATERIAIS, CONGRESSO NACIONAL
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ABNT
International Conference on Electronic Materials - IUMRS-ICEM and the Brazilian Materials Research Society Meeting - B-MRS, 19. . Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/39ae972f-2827-43e9-9be8-542617c90ffc/P19460.pdf. Acesso em: 20 maio 2024. , 2021
APA
International Conference on Electronic Materials - IUMRS-ICEM and the Brazilian Materials Research Society Meeting - B-MRS, 19. (2021). International Conference on Electronic Materials - IUMRS-ICEM and the Brazilian Materials Research Society Meeting - B-MRS, 19. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/39ae972f-2827-43e9-9be8-542617c90ffc/P19460.pdf
NLM
International Conference on Electronic Materials - IUMRS-ICEM and the Brazilian Materials Research Society Meeting - B-MRS, 19 [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/39ae972f-2827-43e9-9be8-542617c90ffc/P19460.pdf
Vancouver
International Conference on Electronic Materials - IUMRS-ICEM and the Brazilian Materials Research Society Meeting - B-MRS, 19 [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/39ae972f-2827-43e9-9be8-542617c90ffc/P19460.pdf
Tese (Doutorado)
A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores (2003)
Dalpian, Gustavo Martini; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini. A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Dalpian, G. M. (2003). A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/
NLM
Dalpian GM. A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores [Internet]. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/
Vancouver
Dalpian GM. A natureza de defeitos em bulk e em superfície de semicondutores [Internet]. 2003 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-09082012-202357/
Dissertação (Mestrado)
Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) (2000)
Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini. Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100). 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: https://doi.org/10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Dalpian, G. M. (2000). Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://doi.org/10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131
NLM
Dalpian GM. Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) [Internet]. 2000 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131
Vancouver
Dalpian GM. Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100) [Internet]. 2000 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131

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